Gás CF4 de elevada pureza para Etching da indústria de semicondutores

N ° de Modelo.
99.9%
etiqueta
gás não inflamável
ficheiro mol
75-73-0.Mol
descrição geral
gás incolor/não inflamável
nome de envio
tetrafluorometano
classe de perigo
2.2
número un
1982
Pacote de Transporte
Cylinder
Especificação
1.603g/cm3(-128º C) 27.330(cm· mol)
Marca Registrada
RM/OEM
Origem
Qingdao, China
Código HS
2826199090
Capacidade de Produção
1000 PCS Per Month
Preço de referência
$ 18.00 - 85.50
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Descrição de Produto

Aplicação do SF4:
o tetrafluoreto de carbono é a maior quantidade de gás de gravação de plasma na indústria de microeletrônica no momento. É uma mistura de gás de pureza elevada e oxigénio de pureza elevada de tetrafluoreto de carbono. Pode ser amplamente utilizado na gravação de silicone, dióxido de silício, nitreto de silício, vidro de silício fosforoso e materiais de filme de tungsténio.
Para os sistemas de silício e dióxido de silício, a selectividade de 45:1 pode ser obtida ajustando a razão dos dois gases ao utilizar a gravação de iões reactiva de cf4-h2, que é muito útil para a gravação da película de dióxido de silício na porta de silício policristalino.

É também amplamente utilizado na limpeza de superfícies de dispositivos electrónicos, na produção de células solares, na tecnologia laser, no isolamento da fase gasosa, na refrigeração criogénica, no agente de teste de fugas, controle da atitude de foguete espacial e detergente na produção de circuitos de impressão.

  COA de CF4 Gas
Item Índice remissivo
CF4 , %(V/V) ≥ 99.999 99.995 99.99
N2, 10 - 6 (V/V) ≤ 4 20 40
O2, 10 - 6 (V/V) ≤ 1 5 10
CO2, 10-6 (V/V) ≤ 1 5 10
CO, 10 - 6 (V/V) ≤ 0.3 0.5 1
SF6 , 10-6 (V/V) ≤ 1 1 5
H2O, 10 - 6 (V/V) ≤ 1 5 10
HF, 10 - 6 (V/V) ≤ 0.1 0.3 0.3
TFC (CH2F2, CHF3, C2F3, C3F8), 10-6 (V/V) ≤ 1 10 30
Teor de impurezas total, ppm (V/V) ≤ 10 50 100

Especificação CF4
Parâmetro
Ensaio crítico 		Unidade Empresa
Especificação 		Análise
Resultados 		Método de análise
Tetrafluorometano (CF4) % (v/v) 99.999% min > 99.999% G.C
Oxigénio (O2) v. ppm < 1.0 < 0.2 G.C
Azoto (N2) v. ppm < 1.0 < 0.6 G.C
Monóxido de carbono (CO) v. ppm < 0.5 < 0.2 G.C
Dióxido de carbono (CO2) v. ppm < 0.5 < 0.2 G.C
Hexafluoreto de enxofre (SF6) v. ppm < 0.2 < 0.1 G.C
Trifluorometano (CHF3) v. ppm < 0.5 < 0.1 G.C
Outros Halocarbon (OFC) * v. ppm < 1.0 < 0.7 G.C
Hidrocarbonetos totais (THC) * v. ppm < 0.5 < 0.1 G.C
Humidade (H2O) v. ppm < 0.5 < 0.2 Analisador de humidade
Acidez (como HF) v. ppm < 0.1 < 0.08 Analisador de acidez
Conteúdo total de impureza v. ppm ≤ 10.0 < 10.0 G.C
Particale (> 0.1μm) pcs/litro < 10.0 < 1.0 ICP-MS

High Purity CF4 Gas for Semiconductor Industry Etching
High Purity CF4 Gas for Semiconductor Industry Etching
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