Bsm200GB60dlc AG-34mm-1 módulo IGBT Diodo rectificador de semiconductores eléctricos

No. de Modelo.
BSM200GB60DLC
Modelo
ST
Número De Lote
2010 +
Marca
Infineon
IC Nom
200 a
tecnología
IGBT
configuración
doble
Paquete de Transporte
Carton
Marca Comercial
Infineon
Origen
Germany
Capacidad de Producción
50000 PC/ Year
Precio de referencia
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Descripción de Producto

MODELO:   BSM50GB120DN2 BSM50GD120DN2 BSM150GB60DLC BSM200GB60DLC

Infineon  

34 mm   1200 V, 200 A   módulo IGBT doble  con TRENCHSTOP ™ IGBT4 rápido y diodo 4 controlado por emisor.

Resumen de características

  • Aumento de la capacidad de tensión de bloqueo a 650V
  • Temperatura de funcionamiento ampliada TVJ op
  • Capacidad de cortocircuito alta, corriente de cortocircuito de limitación automática
  • Aislamiento de 2,5 kV ac 1min
  • Paquete con CTI > 400
  • Distancias de distancia de distancia y de deslizamiento altas
  • Placa base aislada
  • Carcasa estándar

Beneficios

  • Flexibilidad
  • Rendimiento eléctrico óptimo
  • Máxima fiabilidad

Aplicaciones

  • Control y accionamientos del motor
  • Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
Parametría FF300R07KE4
Configuración Doble
Dimensiones (anchura) 61,4 mm
Dimensiones (longitud) 106,4 mm
Vivienda 62 mm
IC (nom)   / IF (nom) 150 A
IC      máx 150 A
Calificación Industrial
Tecnología IGBT4 - E4
VCE (SAT)   (TVJ = 25 °C típ.) 1,55 V.
VCES   / VRRM 650 V.
FV   (TVJ=25°C típ.) 1,55 V.
Clase de tensión   máx 650 V.


IGBT discretos, paquete de prensa,
módulos de potencia e incluso soluciones de pila en diferentes clases de tensión y corriente.

Bsm200GB60dlc AG-34mm-1 IGBT Module Electrical Semiconductor Rectifier Diode

Nuestra selección de productos IGBT ofrece una amplia variedad de dispositivos diferentes. Estos productos se dirigen a una amplia gama de aplicaciones en   el campo de la automoción ,   tracción , transmisión de energía, sistemas industriales y de consumo. Nuestras soluciones ofrecen pérdidas de potencia muy bajas en el estado de avance y bloqueo, requieren solo una potencia de accionamiento baja y tienen una alta eficiencia. Los IGBT pueden soportar tensiones de hasta 6,5 kV y funcionar a una frecuencia de conmutación de 2 kHz a 50 kHz.

Bsm200GB60dlc AG-34mm-1 IGBT Module Electrical Semiconductor Rectifier Diode

Descripción general de nuestra cartera de IGBT

Ofrecemos una amplia gama de chips IGBT montados en paquetes de plástico discretos, llamados   IGBT Discretes , que están disponibles como   IGBT individuales   y co-empaquetados   con diodo de rueda libre . Estos dispositivos son adecuados para aplicaciones como   inversores de uso general ,   inversores solares ,   UPS , calefacción por inducción ,   electrodomésticos principales ,   Soldadura   y   SMPS . Las ventajas de Discretes IGBT son la alta densidad de corriente y la baja disipación de potencia, lo que resulta en una mayor eficiencia y un menor disipador de calor para permitir un menor coste total del sistema.
Los arreglos más grandes que forman los bloques básicos de construcción de los equipos electrónicos de potencia se consideran   módulos de potencia   que suelen combinar IGBT y trodiados en diversas topologías. Con la ayuda de componentes de alto rendimiento, estos módulos de potencia pueden hacer frente a las necesidades de las aplicaciones de mayor potencia.  Desde   módulos integrados de potencia todo en uno   con rectificador, picador de freno y inversor, los productos Infineon cubren una gama de sólo cientos de vatios a varios megavatios.   Las unidades de uso general, las unidades servo   y las aplicaciones de energía renovable como los inversores solares o   las aplicaciones eólicas   se benefician del rendimiento, la eficiencia y la longevidad excepcionales de estos productos altamente fiables.
La   familia HybridPACK™   como una serie de productos especiales con cualificación de automoción está disponible para apoyar los esfuerzos del diseñador en   la movilidad eléctrica . Infineon apoya además a la industria automotriz, proporcionando una variedad   de semiconductores de potencia IGBT discretos   calificados de acuerdo con AECQ101.
Para facilitar la instalación de un experimento de laboratorio o un primer prototipo, Infineon ayuda proporcionando   placas de evaluación   para la mayoría de los productos para acelerar los ciclos de desarrollo. Por lo tanto, los resultados concluyentes pueden ser generados en el menor tiempo posible.

Bsm200GB60dlc AG-34mm-1 IGBT Module Electrical Semiconductor Rectifier Diode Bsm200GB60dlc AG-34mm-1 IGBT Module Electrical Semiconductor Rectifier Diode
PERFIL DE LA EMPRESA
Shenzhen Botong Electric Co., Ltd. Es un distribuidor profesional de productos importados de Marca, ubicado en 7S Yindu, edificio 100, no 4 Zhonghang Road, Huahang Comunidad, Huaqiang North Street, Distrito de Futian, Shenzhen. Con sede en Beijing (establecida en 2006), con oficinas en Shandong y Hebei. Su negocio implica componentes electrónicos de alimentación y placas de accionamiento PI, sensores LEM, ventiladores y condensadores. Nuestra empresa actúa como agente para la distribución de IGBT, IPM, PIM, puente rectificador, tiristor, Diodo, etc. en Infineon, Semi kron, HITACHI, Fuji, Mitsubishi, SanRex, IXYS, etc; Ximenkang, Placa de controlador PI; optoacoplador Liteon; módulo de controlador IDC Jianzao de Japón; condensador electrolítico; componentes electrónicos como condensadores de absorción (CAPSIT). Principalmente utilizado en: Automatización industrial, inversor de alta tensión, UPS, máquina de soldadura de inversor, inversor, calentamiento por inducción de alta frecuencia, cocina de inducción comercial, fuente de alimentación de inversor, generación de energía eólica y solar, locomotora eléctrica, fuente de alimentación de galvanoplastia, arranque suave y otros campos. Cubrimos las necesidades de nuestros clientes con un excelente rendimiento del producto, alta calidad fiable, servicio superior, el precio más favorable y el tiempo de entrega.

Almacenamiento y entrega


ENVÍO

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PREGUNTAS FRECUENTES

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