MOSFET di potenza avanzato a canale N Zg12n65 680 V/12 a 0.8mΩ

Model No.
Mosfet
Struttura
IGBT
incapsulamento Struttura
Chip Transistor
Livello di potenza
Ad alta potenza
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
by Sea, Packing
Specifiche
T0-247, T0-3P, T0-220, T0-220F, T0-263
Marchio
ZG
Origine
Auhui Province, China
Codice SA
8541100000
Capacità di Produzione
500000
Prezzo di riferimento
$ 67.23 - 74.70
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Descrizione del Prodotto

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet 680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet 680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet  ZG12N65 è un MOSFET in modalità di miglioramento a canale N, prodotto utilizzando la proprietà di Zhongxin Micro-electronics. Il processo planare autoallineato e la tecnologia terminale migliorata riducono la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia di valanga. Il transistor può essere utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per una maggiore efficienza e miniaturizzazione del sistema.
 
VDSS 650 V
  ID 11.5 R
RDS ( ON ) 0.65 Ω
CRS 18 PF
680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet 680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet 680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet 680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet

Parametro
Simbolo
Valore
Unità
-
Tensione drain-source 		VDSS 650 V

Continua a scaricare la corrente 		ID TC=25ºC 11.5* R
TC=100ºC 6.8*
( 1)
Corrente di scarico con tappo (nota 1) 		IDM 46 R

Tensione gate-source 		VGS ±30 V
(  2)
Energia a valanga pulsata singola (nota 2) 		EAS 590 MJ
( 1)
Corrente valanga (nota 1) 		IAR 11 R
( 1)
Energia valanghe ripetitiva (nota 1) 		ORECCHIO 20 MJ
(3)
Recupero del diodo di picco (nota 3) 		dv/dt 4.5 V/ns

Dissipazione di potenza 		PD
TC=25ºC 		TO-220 240 W
TO-220F 50

Fattore di riduzione della dissipazione di potenza 		PD (DF)
Sopra 25ºC 		TO-220 2.0 W/ ºC
TO-220F 0.4
 
Temperatura di esercizio e di conservazione 		TJ , TSTG 150,-55 ~ +150 ºC

Temperatura massima per saldatura 		TL 300 ºC

Parametro
Simbolo
Max
Unità

Resistenza termica, giunzione a scatola 		Rth (j-c) TO-220/TO-262 0.52 W
TO-220F 2.5

Resistenza termica,giunzione a ambiente 		Rth (j-A) TO-220 62.5 W/ ºC
TO-220F 62.5
   Caratteristiche non specifiche

Parametro
Simbolo
Condizioni di test
Min
Tipo
Max
Unità
-
Tensione di breakdown drain-source 		BVDSS ID =250ΜA, VGS =0 V. 600 - - V

Coefficiente di temperatura tensione di rottura   		△BVDSS /△TJ ID =250μA, a cui si fa riferimento  25ºC - 0.7 - V/ºC
 
Corrente di drain tensione gate zero 		IDS VDS =650V ,VGS =0V,   TC =25ºC - - 1 μA
VDS = 520V , TC =125ºC - - 10

Corrente di dispersione corpo-gate   , marcia avanti 		IGSSF VDS =0 V, VGS  =30 V. - - 100 Na

Corrente di dispersione corpo-cancello   , retromarcia 		IGSSR VDS =0 V, VGS  =   -30 V. - - -100 Na
   Caratteristiche di attivazione

Parametro
Simbolo
Condizioni di test
Min
Tipo
Max
Unità

Tensione soglia gate 		VGS (th) VDS  = VGS  , ID = 250ΜA 2.0 - 4.0 V

  Resistenza statica drain-source on 		RDS (ON) VGS =10 V , ID = 6.0A - 0.65 0.75 Ω

Transconduttanza diretta 		gfs VDS  = 40 V, ID = 6,0 A(NOTA 4) - 10 - S
   Caratteristiche dinamiche

Parametro
Simbolo
Condizioni di test
Min
Tipo
Max
Unità

Capacità di ingresso 		CISS VDS =25V,   VGS  =0V,   F=1,0MHZ - 1887 2507 PF

Capacità di uscita 		COSS - 188 243 PF

Capacità di trasferimento inversa 		CRS - 18 28 PF
  1. Il superamento dei valori massimi di prestazioni del dispositivo può causare danni al dispositivo    ,    anche a causa di guasti permanenti, che possono compromettere l'affidabilità della macchina. Si consiglia di utilizzare il dispositivo con una percentuale inferiore al 80% dei valori massimi.
  2. Durante l'installazione del dissipatore di calore   ,    prestare   attenzione al       momento torsionale   e alla    regolarità del dissipatore di calore.
  3. VDMOSFET è il dispositivo sensibile all'elettricità statica   , è necessario proteggere il dispositivo da eventuali danni causati dall'elettricità statica durante l'utilizzo.
  4. Questa pubblicazione è fatta da Zhongxin  Microelectronics e soggetta a modifiche regolari senza preavviso. 680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Channel Advanced Power Mosfet





















 

 

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GAOZIYING.CN, 2023