Transistor Enhancement TO247 sfs15r05hnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -5milliohm Qg-149nc Per regolatore di tensione di commutazione MOSFET di potenza a canale N.

Model No.
SFS15R05HNF
Struttura
Planar
incapsulamento Struttura
Chip Transistor
Livello di potenza
Ad alta potenza
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemi
Origine
China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Prezzo di riferimento
$ 0.32 - 3.60
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Descrizione del Prodotto


 

  Descrizione generale
FSMOS ®     MOSFET       si basa   sull'        esclusivo     design del dispositivo di Oriental Semiconductor   per   ottenere    RDS ( ON ) basso , bassa     carica di gate ,   commutazione rapida   ed   eccellenti     caratteristiche di valanga . La       serie High Vth è     progettata appositamente   per   l'uso   in       sistemi di controllo di motori   con     tensione di pilotaggio     superiore    a 10 V  .



Caratteristiche
       RDS(   ON ) E   FOM BASSI
             Perdita di commutazione estremamente bassa
         Affidabilità e     uniformità eccellenti
         Commutazione rapida   e   recupero graduale  


Applicazioni
         Caricabatterie PD
         Driver motore
           Regolatore di tensione di commutazione
         Convertitore CC-CC
             Alimentatore switching



    Parametri chiave delle prestazioni
Parametro Valore Unità
VDS 150 V
ID   , polso 720 R
RDS ( ON ), MAX   @ VGS   =10 V. 5 MΩ
QG 149 NC



    Valori nominali massimi assoluti   a   Tj   =25° C   , salvo   diversa   indicazione
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione drain -source   VDS 150 V
  Tensione gate-source VGS ± 20 V
    Corrente di scarico continuo1 ) , TC =25 ° C. ID 180 R
    Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 ° C. ID   , polso 720 R
      Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 ° C. È 180 R
    Diodo a impulsi corrente 2 ) , TC =25 ° C. È , impulso 720 R
  Dissidenza di alimentazione3 ) , TC =25 ° C. PD 450 W
      Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 135 MJ
      Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg   , Tj da -55 a  150 ° C



  Caratteristiche termiche
Parametro Simbolo Valore Unità
  Resistenza termica , scatola di giunzione RθJC 0.27 ° C / W
  Resistenza termica , ambiente di giunzione 4 ) RθJA 62.5 ° C / W




  Caratteristiche elettriche   a   Tj   =25° C   , salvo   diversamente   specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
            Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 150     V VGS   =0 V , ID   =250 ΜA
  Soglia gate
tensione 		VGS ( th ) 3   4.5 V VDS   = VGS , ID =250 ΜA
Scarico -sorgente
  resistenza in stato attivo 		RDS ( ON )   4 5 MΩ VGS   =10 V , ID =60 A.
Gate -source
  corrente di dispersione
IGS 		    100
Na 		VGS   = 20 V.
    -  100 VGS   = -20 V.
Scarico -sorgente
  corrente di dispersione 		IDS     1 μA VDS   =120 V , VGS   =0 V.
  Resistenza del gate RG   1.2   Ω ƒ =1 MHz ,   open drain




  Caratteristiche dinamiche
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
  Capacità di ingresso CISS   13467   PF
VGS   = 0   V ,
VDS   = 25 V ,
ƒ =100 kHz
  Capacità di uscita COSS   4347   PF
    Capacità di trasferimento inversa CRS   295   PF
    Tempo di ritardo di attivazione td ( on )   43   n/s
VGS   = 10 V ,
VDS   = 80 V ,
RG = 2 Ω,
ID =40   A.
  Tempo di salita tr   37   n/s
    Ritardo di disattivazione td ( off )   74   n/s
  Tempo di caduta tf   26   n/s



    Caratteristiche di carica del gate
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
    Costo totale gate QG   149   NC
VGS   = 10 V ,
VDS   = 80 V ,
ID = 40A
  Carica gate-source DGS   56   NC
  Carica gate-drain QGD   28   NC
    Tensione plateau gate Vplateau   5.4   V



    Caratteristiche del diodo corpo
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
    Tensione di avanzamento diodo VSD     1.3 V IS = 20 A ,
VGS   = 0 V.
    Tempo di recupero inverso trr   130   n/s
VR =80 V ,
IS =40 A ,
Di / dt =100 A /μs
    Carica di recupero inversa Qr   497   NC
      Corrente di recupero inversa di picco Irrm   6.2   R



Nota
1 )        corrente continua calcolata   in base           alla temperatura massima ammissibile della giunzione .
2 )      valore nominale ripetitivo ;   ampiezza impulso   limitata   dalla     temperatura di giunzione massima .
3 )    Pd     si basa   sulla     temperatura di giunzione massima , utilizzando       la resistenza termica della scatola di giunzione .
4)    VDD =50V , VGS =10 V , L =0.3 MH , Tj iniziale     =25 ° C.




 
Catena di fornitura To247 Sfs15r05hnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -5milliohm Qg-149nc N-Channel Power Mosfet



Dichiarazione di prodotto verde

 

 

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