Alimentatore switching UPS per convertitore di energia Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2,6 milliohm Qg-148.1nc TO263 SFg280n08kf MOSFET a canale potenziato

Model No.
TO263 SFG280N08KF
Struttura
Planar
incapsulamento Struttura
Chip Transistor
Livello di potenza
Ad alta potenza
Materiale
Germanio
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemi
Origine
China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Prezzo di riferimento
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Descrizione del Prodotto

  Descrizione generale
SFGMOS ®   MOSFET     si basa   sull'       esclusivo     design del dispositivo di Oriental Semiconductor   per   ottenere   RDS   ( ON ) basso ,  bassa     carica di gate ,   commutazione rapida   ed   eccellenti     caratteristiche di valanga . La       serie High Vth   è   ottimizzata appositamente   per     sistemi ad alta tensione   di     pilotaggio gate     superiore    a 10 V.
 

Caratteristiche
       RDS(   ON ) E   FOM BASSI
             Perdita di commutazione estremamente bassa
       Stabilità e       uniformità eccellenti
         Commutazione rapida   e   recupero graduale  


Applicazioni
             Alimentazione in modalità commutata
         Driver motore
         Protezione della batteria
         Convertitore CC-CC
         Inverter solare
       UPS   e     inverter di energia


    Parametri chiave delle prestazioni
 
Parametro Valore Unità
VDS , min   @ Tj ( max ) 80 V
ID   , polso 840 R
RDS ( ON ), MAX   @ VGS   =10 V. 2.6 MΩ
QG 148.1 NC


    Valori nominali massimi assoluti   a   Tj   =25° C   , salvo   diversa   indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione   di sorgente di scarico   VDS 80 V
    Tensione di alimentazione gate VGS ± 20 V
    Corrente di scarico continuo1 ) , TC =25 ° C. ID 280 R
    Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 ° C. ID   , polso 840 R
      Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 ° C. È 280 R
    Diodo a impulsi corrente 2 ) , TC =25 ° C. È , impulso 840 R
  Dissidenza di alimentazione3 ) , TC =25 ° C. PD 375 W
      Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 1000 MJ
      Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg   , Tj da -55 a  150 ° C


  Caratteristiche termiche
Parametro Simbolo Valore Unità
  Resistenza termica , scatola di giunzione RθJC 0.33 ° C / W
  Resistenza termica , ambiente di giunzione 4 ) RθJA 62 ° C / W


  Caratteristiche elettriche   a   Tj   =25° C   , salvo   diversamente   specificato
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
            Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 80     V VGS   =0   V , ID   =250 PA
  Soglia gate
tensione 		VGS ( th ) 2.0   4.0 V VDS   = VGS , ID =250 PA
Scarico -sorgente
  resistenza in stato attivo 		RDS ( ON )   2.4 2.6 Mq VGS   =10 V , ID =20 A.
Gate -source
  corrente di dispersione
IGS 		    100
Na 		VGS   = 20 V.
    -  100 VGS   = -20 V.
Scarico -sorgente
  corrente di dispersione 		IDS     1 PA VDS   = 80 V , VGS   =0 V.


Nota
1 )        corrente continua calcolata   in base           alla temperatura massima ammissibile della giunzione .
2 )      valore nominale ripetitivo ;   ampiezza impulso   limitata   dalla     temperatura di giunzione massima .
3 )    Pd     si basa   sulla     temperatura di giunzione massima , utilizzando       la resistenza termica della scatola di giunzione .
4 )      il   valore   di   RθJA   viene   misurato   con   il   dispositivo   montato   su     una scheda FR-4 1 in 2   con  2oz . Rame  , in         ambiente tranquillo con     Ta =25° C.
5)      VDD =50 V , VGS =10 V , L =0.3 MH , Tj iniziale     =25 ° C.


  Informazioni per l'ordinazione
Pacchetto
Tipo 		Unità/
Aspo 		Bobine   /       scatola interna Unità /       scatola interna   Scatole interne /   scatola in cartone   Unità /       scatola in cartone  
TO263 - C. 800 1 800 5 4000



  Informazioni sul prodotto
Prodotto Pacchetto Senza piombo   RoHS   Senza alogeni
SFG280N08KF TO263 sì sì sì



 
Catena di fornitura UPS Energy Convertervds-80V ID-840A To263 Sfg280n08kf Mosfet



Dichiarazione di prodotto verde

 

 

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