Photo du produit : 



Paramètre de produit : 


Le paramètre
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Symbole
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Conditions générales
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Valeur
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Unité 

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Tension Collector-Emitter
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VCES
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VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25ºC
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650
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V
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Courant de collecteur en continu
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IC
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Tc=65ºC Tvj=175ºC
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400
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Un
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Tc=25ºC Tvj=175ºC
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500
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Un
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Pic de courant collecteur
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ICRM
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Tp=1ms
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800
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Un
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Tension Gate-Emitter
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VGES
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Tvj=25ºC
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±20
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V
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Puissance dissipée totale (IGBT-convertisseur)
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Ptot
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Tc=25ºC 
Tvjmax=175ºC
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De 1250
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W
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La diode DC courant de marche avant
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Si
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Tc=100ºC
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400
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Un
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Courant de crête de la diode de marche avant
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IFRM
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IFRM=2si
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800
|

Un
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Fonctionnalités 
La densité de puissance plus élevée 
Tj max = 175 °C 
PressFIT broches de commande et de la vis bornes de puissance 
Capteur de température NTC intégré 
Plaque de base isolés 
Faible VCE(sat) avec la technologie de planificateur 
Vce(sat) avec le coefficient de température positif 
Y compris la récupération rapide et souple anti-parallèle le pont avant 
Haute capacité de court-circuit(10US) 
Faible inductance de la structure du module 
Avantages 
Convertisseur de courant de sortie supérieur pour la même taille de trame 
Réduit les coûts du système par la simplification de l'onduleur systems 
Assemblage facile et plus fiable 
Haute fiabilité inter-connexion 
Adapté pour une presse dans & processus de soudure 
Les applications 
Commerciales, la construction et de véhicules agricoles (CAV) 
Et les lecteurs de commande du moteur 
Solutions pour les systèmes de l'énergie solaire 
Alimentation non interruptible (UPS) 
La commutation souple machine à souder 
L'AC et DC servo amplificateur d'entraînement 
A10 module IGBT est un des plus populaires les paquets de l'IGBT à travers le monde et est utilisé dans de nombreuses applications différentes, telles que les lecteurs à usage général; Commercial, de la construction et de véhicules agricoles ainsi que du vent solaire eBus;;;; et enfin de l'onduleur de traction, de la transmission et de distribution. Dans la dernière génération de module il est maintenant possible d'augmenter l'intensité du module à 900 A. C'est possible grâce à la nouvelle technologie IGBT7 permettant une plus grande densité de puissance et réduit les coûts de nomenclature. 

Schéma de circuit 



Dessin de package 




 Produits de la série E52 : 


Modèle
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Vces(V)
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Ic(T=80)(A)
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VCE(sat) Tj=125ºC
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Eon+eof(Tj=125)(MJ)
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Rthjc(KW) 

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WGL200F65A10
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650
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200
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1.45
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10
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0.19
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WGL300F65A10
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650
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300
|

1.45
|

15
|

0,14
|

WGL400F65A10
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650
|

400
|

1.45
|

20
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0.12
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FAQ : 
1.Pourquoi est spécifié pour l'IGBT 175ºC surcharge ? 

Le CTEC IGBT est conçu pour fonctionner à une température constante de 175°C. La limitation de surcharge est donnée par l'emballage. La plupart des applications sont conçues avec une surcharge profil et d'ici l'IGBT est un ajustement parfait. Le CIEC est le plus bas de l'IGBT pertes statique. 


2.Comment traiter la haute charge de grille spécifiée pour la fiche technique de l'IGBT ? 

La charge de grille spécifiée dans la fiche technique n'est pour une opération avec VGE de ± 20 vge V. La plupart des clients à utiliser dans la gamme de +5,4 V à +7 V. ici la charge de grille est beaucoup plus bas et avec cette valeur, typique des fréquences de commutation peuvent être traitées avec des disques durs standard. 

3.support technique 

Afin de nous permettre de traiter votre demande aussi efficacement que possible et s'assurer que votre cas est dûment signalé, nous vous prions de nous soumettre votre demande via notre équipe de service.