PB – freie Bleibeschichtung, RoHS-konform, Ost40n120hmf 10µ S Kurzschlusstoleranz 1200V 40A FRD Integrer to-247n-Feld-Stopp-Graben IGBT

Modell Nr.
OST40N120HMF TO-247N
Modell
Orientalsemi
Chargennummer
2023
Marke
Orientalsemi
Transportpaket
Carton
Spezifikation
35.3x30x37.5/60x23x13
Warenzeichen
Orientalsemi
Herkunft
China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
Over 1kk/Month
Referenzpreis
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Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
OST40N120HMF verwendet die patentierte Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM ) -Technologie von Oriental-Semi, um extrem niedrige VCE (Sat), niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Schaltleistung zu bieten. Dieses Gerät ist für Schaltfrequenz-Wandler im mittleren bis hohen Bereich geeignet.

Funktionen
  • Fortschrittliche TGBTTM -Technologie
  • Ausgezeichnete Leitungs- und Schaltverluste
  • Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
  • Schnelle und weiche antiparallele Diode

Anwendungen
  • Induktionswandler
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen


Wichtige Leistungsparameter

 
Parameter Wert Einheit
VCES , min . @ 25 Grad 1200 V
Maximale Temperatur der Verbindung 175 GRAD
IC , Impuls 160 A
VCE (Sat), Typ . @ VGE =15V 1,45 V
Qg 214 NC

Markierungsinformationen

 
Produktname Paket Markierung
OST40N120HMF TO247 OST40N120HM

 
Absolute Höchstwerte bei TVJ = 25 Grad Celsius, sofern nicht anders angegeben
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Kollektoremitterspannung VCES 1200 V
Gate-Emitter -Spannung
VGES 		±20 V
Transiente Gate-Emitter-Spannung, TP ≤0.5µs, D<0,001 ±25 V
Dauerkollektor current1 ) , TC =25ºC
IC 		56 A
Dauerkollektor current1 ) , TC =100ºC 40 A
Gepulster Kollektor current2 ) , TC =25ºC IC , Impuls 160 A
Diode vorwärts current1 ) , TC =25ºC
WENN 		56 A
Diode vorwärts current1 ) , TC =100ºC 40 A
Diode gepulst current2 ) , TC =25ºC WENN , Puls 160 A
Leistung dissipation3 ) , TC =25ºC
PD 		357 W
Leistung dissipation3 ) , TC =100ºC 179 W
Betriebs- und Lagertemperatur Tstg , Tvj -55 bis 175 GRAD
Kurzschlussfestigkeit VGE =15 V, VCC ≤600 V
Zulässige Anzahl von Kurzschlüssen<1000 Zeit zwischen Kurzschlüssen: ≥ 1,0 S
TVJ = 150 Grad

TSC

10

μs

Thermische Eigenschaften
Parameter Symbol Wert Einheit
IGBT-Wärmewiderstand, Anschlussgehäuse RθJC 0,42 C/W
Thermowiderstand der Diode, Anschlussgehäuse RθJC 0,75 C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma- ambient4 ) RθJA 40 C/W
 

Elektrische Eigenschaften bei TVJ =25 Grad, sofern nicht anders angegeben
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Durchschlagspannung Kollektor-Emitter V (BR)CES 1200     V VGE = 0 V, IC = 0,5 MA


Sättigungsspannung Kollektor-Emitter


VCE (Sat) 		  1,45 1,8 V VGE =15 V, IC =40 A TVJ =25 GRAD
  1,65   V VGE =15 V, IC =40 A, TVJ =125 GRAD
  1,8     VGE =15 V, IC =40 A, TVJ =175 GRAD
Gate -Sender
Schwellenspannung 		VGE (th) 4,8 5,8 6,8 V VCE =VGE , ID =0,5 MA


Diodenvorwärtsspannung


VF 		  1,9 2,1 V VGE =0 V, WENN =40 A TVJ =25 GRAD
  1,6     VGE =0 V, WENN =40 A, TVJ =125 OC
  1,5     VGE =0 V, WENN =40 A, TVJ =175 OC
Gate -Sender
Leckstrom 		IGES     100 Entfällt VCE = 0 V, VGE = 20 V.
Nullabgleich-Spannung Kollektorstrom ICES     10 μA VCE =1200V, VGE =0 V.
 

Dynamische Merkmale
 
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Eingangskapazität Cies   11270   PF
VGE =0 V, VCE =25 V,
ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität Coes   242   PF
Kapazität der Umkehrübertragung Cres   10   PF
Einschaltverzögerung td (ein)   120   ns


VGE =15 V, VCC =600 V, RG =10 Ω, IC =40 A
Anstiegszeit tr   88   ns
Verzögerungszeit ausschalten td (aus)   246   ns
Herbstzeit tf   160   ns
Energie einschalten Aeon   3,14   MJ
Energie ausschalten Eoff   1,02   MJ
Einschaltverzögerung td (ein)   112   ns


VGE =15 V, VCC =600 V, RG =10 Ω, IC =20 A
Anstiegszeit tr   51   ns
Verzögerungszeit ausschalten td (aus)   284   ns
Herbstzeit tf   148   ns
Energie einschalten Aeon   1,32   MJ
Energie ausschalten Eoff   0,53   MJ

Gate-Ladeeigenschaften
 
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate Qg   214   NC
VGE =15 V, VCC =960 V, IC =40 A
Gate-Emitter-Ladung Qge   103   NC
Gate-Collector-Ladung Qgc   40   NC

Eigenschaften Der Körperdiode
 
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Rücklaufzeit der Diode trr   293   ns VR = 600 V , WENN = 40 A,
DIF /dt=500 A/μs TVJ = 25 C.
Rücklaufladung der Diode Qrr   2,7   μC
Diode Spitzenwert Rückkehrstrom Irrm   25   A

Hinweis
  1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
  2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur .
  3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
  4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf der Platine 1 in2 FR-4 mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta =25 Grad
 
Version 1: TO247-P-Paketumrissmaß


Bestellinformationen
 
Pakettyp Einheiten/Rohr Schläuche/ Innenbox Einheiten/ Innenbox Innenboxen/Karton Einheiten/ Karton
TO247 -P 30 11 330 6 1980

Produktinformationen
 
Produkt Paket Pb -Frei RoHS Halogenfrei
OST40N120HMF TO247 ja ja ja


Haftungsausschluss
Die in diesem Dokument enthaltenen Informationen gelten in keinem Fall als Garantie für Bedingungen oder Eigenschaften. In Bezug auf Beispiele oder Hinweise, die hier angegeben werden, typische Werte und/oder Informationen bezüglich der Anwendung des Geräts schließt Oriental Semiconductor hiermit jegliche Garantien und Haftung jeglicher Art aus, einschließlich, aber nicht beschränkt auf Garantien bezüglich der Nichtverletzung von Rechten an geistigem Eigentum Dritter .

Lieferkette Pb - Free Lead Plating RoHS Compliant Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT



Umweltfreundliche Produktdeklaration

Pb - Free Lead Plating RoHS Compliant Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT
Pb - Free Lead Plating RoHS Compliant Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT Pb - Free Lead Plating RoHS Compliant Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

 

Transistor

TREF.COM.MK, 2023